三星發布全球首顆30nm級DDR3內存芯片

        近日，三星電子宣布，全球第一顆采用30nm級別工藝的DDR3 DRAM內存芯片已經通過客戶認證。注意這里說的是30nm級別工藝(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是說有可能是38nm之類的。三星此前投產的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級別的。

        三星這種30nm工藝級DDR3 DRAM內存芯片的容量為2Gb，支持1.5V標準電壓和1.35V低電壓，相比50nm工藝級可節省最多30％的功耗，因此又稱為綠色內存(Green DRAM)，另外相比40nm級別工藝量產效率可提高60％，相比50-60nm級別工藝更是可達兩倍之多。

三星發布全球首顆30nm級DDR3內存芯片

　　三星將在今年下半年量產這種芯片，并以此各種低功耗內存條，比如4GB DDR3 SO-DIMM，用在筆記本內的時候每小時只消耗3W，僅占筆記本總功耗的3％。

　　當然在臺式機、服務器、上網本和各種移動設備里，這種新工藝內存也都有廣泛的用途。

（編輯 小開）

（編輯：Karl）